Si(001)上の歪んだSi1-yCyおよびSi1-x-yGexCy合金における電荷輸送

OSTEN H J; GAWORZEWSKI P

文献

J-GLOBAL ID：200902191435707310 整理番号：98A0067409

Si(001)上の歪んだSi_1-yC_yおよびSi_1-x-yGe_xC_y合金における電荷輸送

Charge transport in strained Si_1-yC_y and Si_1-x-yGe_xC_y alloys on Si(001).

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巻： 82 号： 10 ページ： 4977-4981 発行年： 1997年11月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

引張り歪みのSi1-yCy<...

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半導体結晶の電気伝導 , 半導体の格子欠陥

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