‘スタービングプラズマ’状態においてPECVDで作製したa-Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub>:HのN型ドーピング

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J-GLOBAL ID：200902191647868977 整理番号：99A0075172

‘スタービングプラズマ’状態においてPECVDで作製したa-Si_1-xC_x:HのN型ドーピング

N-type doping in PECVD a-Si_1-xC_x:H obtained under ‘starving plasma’ condition.

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資料名：
巻： 227/230 号： Pt.A ページ： 483-487 発行年： 1998年05月
JST資料番号： D0642A ISSN： 0022-3093 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

イオン注入による標題のN型ドーピングを調べた。シラン(SiH...

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半導体薄膜

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