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J-GLOBAL ID：200902191732574028   整理番号：95A0133423

将来のシリコン技術の動向

Trends for Future Silicon Technology.
著者 (1件)：
OHMI T

OHMI T について

(Tohoku Univ., Sendai)

Tohoku Univ., Sendai について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について


巻： 33  号： 12B  ページ： 6747-6755  発行年： 1994年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
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金属酸化物半導体(MOS)トランジスタやバイポラートランジス...
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ケイ素

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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

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シリコン

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動向

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