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J-GLOBAL ID：200902191925021913   整理番号：01A0016977

Pd-In金属ボンディングとレーザリフトオフによって製作したSi基板上のIn_xGa_1-xN発光ダイオード

In_xGa_1-xN light emitting diodes on Si substrates fabricated by Pd-In metal bonding and laser lift-off.

著者 (8件)： WONG W S (Univ. California, California) ,  SANDS T (Univ. California, California) ,  CHEUNG N W (Univ. California, California) ,  KNEISSL M (Xerox PARC, California) ,  BOUR D P (Xerox PARC, California) ,  MEI P (Xerox PARC, California) ,  ROMANO L T (Xerox PARC, California) ,  JOHNSON N M (Xerox PARC, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 18  ページ： 2822-2824  発行年： 2000年10月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア上の有機金属化学蒸着法によって成長させたIn<su...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...

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分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： PD ,  ボンディング ,  レーザ ,  リフトオフ ,  製作 ,  Si基板 ,  発光ダイオード