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J-GLOBAL ID：200902191963392267   整理番号：01A0503702

気相硫化により作製したCu₂ZnSnS₄薄膜の特性

Characterization of Cu₂ZnSnS₄ Thin Films Prepared by Vapor Phase Sulfurization.

著者 (4件)： KATAGIRI H (Nagaoka National Coll. Technol., Nagaoka, JPN) ,  ISHIGAKI N (Nagaoka National Coll. Technol., Nagaoka, JPN) ,  ISHIDA T (Nagaoka National Coll. Technol., Nagaoka, JPN) ,  SAITO K (Nagaoka National Coll. Technol., Nagaoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 2A  ページ： 500-504  発行年： 2001年02月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビーム蒸発前駆体の蒸気相硫化により,Cu<sub>2<...

シソーラス用語： *銅化合物 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (12件)：

• 1) K. Ito and T. Nakazawa: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) 2094.
• 2) K. Ito and T. Nakazawa: Proc. 4th Int. Conf. Photovoltaic Science and Engineering, Sydney, 1989, p. 341.
• 3) N. Nakayama and K. Ito: Appl. Surf. Sci. 92 (1996) 171.
• 4) J. Emsley: The Elements (Oxford Univ. Press, Oxford, 1998) 3rd ed., p. 289.
• 5) R. Nitsche, D. F. Sargent and P. Wild: J. Cryst. Growth 1 (1967) 52.

タイトルに関連する用語 (5件)： 気相 ,  硫化 ,  作製 ,  Cu2ZnSnS4 ,  薄膜