3.9μmで発光するInAsSb/InAlAsSb歪み量子井戸ダイオードレーザ

CHOI H K; TURNER G W

文献

J-GLOBAL ID：200902192290457856 整理番号：95A0756419

3.9μmで発光するInAsSb/InAlAsSb歪み量子井戸ダイオードレーザ

InAsSb/InAlAsSb strained quantum-well diode lasers emitting at 3.9μm.

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資料名：
巻： 67 号： 3 ページ： 332-334 発行年： 1995年07月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

圧縮歪みInAsSbを活性層,引張り歪みInAlAsSbをバ...

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半導体レーザ

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