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J-GLOBAL ID：200902192317519700   整理番号：02A0698030

AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにおける大きいゲートリーク電流

Large Gate Leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors.

著者 (5件)： MIZUNO S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHNO Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KISHIMOTO S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MAEZAWA K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIZUTANI T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 8  ページ： 5125-5126  発行年： 2002年08月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の大き...

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• 1) Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. Denbaars and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 1438.
• 2) M. Asif Khan, G. Simin, X. Hu, A. Koudymov, A. Tarakji, J. Yang, M. S. Shur and R. Gaska: Abstr. Int. Symp. Compound Semiconductors, Tokyo, Japan, 2001, p. 176.
• 3) U. K. Mishra and N. Q. Zhang: Abstr. Int. Symp. Compound Semiconductors, Tokyo, Japan, 2001, p. 175.
• 4) M. Akita, S. Kishimoto and T. Mizutani: Phys. Status Solidi A 188 (2001) 207.
• 5) E. J. Miller, A. Z. Dang and E. T. Yu: J. Appl. Phys. 88 (2000) 5951.

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  ゲートリーク電流