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J-GLOBAL ID：200902192338139657   整理番号：97A0526227

エピタキシャルGe被覆Si(100)表面の酸化速度

Oxidation kinetics of epitaxial Ge-covered Si(100) surfaces.

著者 (2件)： FUKUDA T (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  OGINO T (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 380  号： 1  ページ： L469-L473  発行年： 1997年05月01日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)表面に350°Cと600°Cでエピタキシャル成長さ...

シソーラス用語： ゲルマニウム ,...

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分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  Ge ,  Si ,  酸化速度