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J-GLOBAL ID：200902192439600770   整理番号：96A0807916

サファイア基板上の良質なAlNとAlN/GaN/AlNヘテロ構造の成長

Growth of High-Quality AlN and AlN/GaN/AlN Heterostructure on Sapphire Substrate.

著者 (2件)： OHBA Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HATANO A (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 35  号： 8B  ページ： L1013-L1015  発行年： 1996年08月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイス品質のAlN/GaN/AlN二重ヘテロ構造を作る目的...

シソーラス用語： MOCVD ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (10件)：

• AKASAKI, I. J. Crsyt. Growth. 1989, 98, 209
• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, L1708
• NAKAMURA, S. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1687
• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, L74
• SAXLER, A. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 339

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア基板 ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  成長