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J-GLOBAL ID：200902192604926040   整理番号：01A0904106

GaN中でのGe活性化に対するN/Geの同時打込みの効果

Effect of N/Ge co-implantation on the Ge activation in GaN.

著者 (2件)： NAKANO Y (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aich, JPN) ,  KACHI T (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aich, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 79  号： 10  ページ： 1468-1470  発行年： 2001年09月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子素子の設計において,イオン打込みによるドーピングは,選択...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  Ge ,  活性化 ,  打込み