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J-GLOBAL ID:200902192604926040   整理番号:01A0904106

GaN中でのGe活性化に対するN/Geの同時打込みの効果

Effect of N/Ge co-implantation on the Ge activation in GaN.
著者 (2件):
資料名:
巻: 79  号: 10  ページ: 1468-1470  発行年: 2001年09月03日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半導体の放射線による構造と物性の変化 
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