- 2022 - 2025 次世代パワー半導体β-Ga2O3の固有欠陥準位の全容解明
- 2019 - 2022 プラズマイオン衝撃により誘発されるp型GaNの電気的ダメージの全容解明 研究課題
- 2016 - 2019 Si基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位とスイッチング特性の相関解明 研究課題
- 2014 - 2018 ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングプロセスにおけるUV照射効果の解明
- 2014 - 2017 窒化物半導体の金属-半導体界面と水素との相互作用機構の研究
- 2016 - 2017 光還元触媒用P形3C-SiC自立基板の非侵襲・高感度欠陥準位評価技術の開発
- 2011 - 2015 窒化物半導体を用いた耐環境性水素ガスセンサーの開発
- 2013 - 2015 AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位とデバイス・スイッチング特性の相関研究
- 2010 - 2014 集光型III-V族窒化物太陽電池の高効率化とその実用デバイスへの展開
- 2012 - 2013 水銀プローブ電極を用いた光容量分光計測による窒化物半導体ウエハのインラインプロセスでの高感度欠陥準位分析法の開発
- 2011 - 2012 導電性高分子膜を透明ショットキー電極として用いた容量DLOS計測による窒化物半導体膜の欠陥準位分析法の開発
- 2010 - 2012 AlGaN/GaNヘテロ接合界面のバンド構造解析と高品質化
- 2009 - 2010 窒化物半導体膜の高感度定量分析装置の開発
- 2009 - 2010 窒化物半導体超低損失パワー素子の研究
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