研究者
J-GLOBAL ID:201301096861489211   更新日: 2024年09月26日

中野 由崇

ナカノ ヨシタカ | Yoshitaka Nakano
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): https://www3.chubu.ac.jp/faculty/nakano_yoshitaka/#header
研究分野 (4件): 電子デバイス、電子機器 ,  薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (10件): プラズマダメージ ,  プロセス技術・評価 ,  パワー半導体 ,  窒化物半導体 ,  電流コラプス ,  結晶成長 ,  欠陥準位 ,  AlGaN/GaNヘテロ構造 ,  光容量過渡分光法 ,  酸化物半導体
競争的資金等の研究課題 (14件):
  • 2022 - 2025 次世代パワー半導体β-Ga2O3の固有欠陥準位の全容解明
  • 2019 - 2022 プラズマイオン衝撃により誘発されるp型GaNの電気的ダメージの全容解明 研究課題
  • 2016 - 2019 Si基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位とスイッチング特性の相関解明 研究課題
  • 2014 - 2018 ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングプロセスにおけるUV照射効果の解明
  • 2014 - 2017 窒化物半導体の金属-半導体界面と水素との相互作用機構の研究
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論文 (99件):
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MISC (161件):
特許 (17件):
学位 (1件):
  • 博士(工学)
経歴 (4件):
  • 2018/04 - 現在 中部大学 工学部 電気電子システム工学科/総合工学研究所 教授
  • 2014/04 - 2018/03 中部大学 工学部 電子情報工学科/総合工学研究所 教授
  • 2008/01 - 2014/03 中部大学 総合工学研究所 准教授
  • 1991/04 - 2007/12 豊田中央研究所 研究員
所属学会 (4件):
米国電気化学会 ,  米国真空学会 ,  日本表面真空学会 ,  応用物理学会
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