文献

J-GLOBAL ID：200902192733864204   整理番号：97A0704623

テラヘルツHall効果による半導体ウエハの非接触評価

Noncontact semiconductor wafer characterization with the terahertz Hall effect.

著者 (4件)： MITTLEMAN D M (Bell Lab., New Jersey) ,  CUNNINGHAM J (Bell Lab., New Jersey) ,  NUSS M C (Bell Lab., New Jersey) ,  GEVA M (Lucent Technol. Microelectronics, Pennsylvania)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 71  号： 1  ページ： 16-18  発行年： 1997年07月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： およそ250μmの空間分解能をもつドープした半導体ウエハのH...

シソーラス用語： Hall移動度 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0704623&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： テラヘルツ ,  Hall効果 ,  半導体ウエハ ,  非接触 ,  評価