薄膜成長および後アニーリングの間における,化学蒸着HfO<sub>2</sub>薄膜とHF清浄化シリコン基板との間での界面反応

PARK B K; PARK J; CHO M; HWANG C S; OH K; HAN Y; YANG D Y

文献

J-GLOBAL ID：200902192785837680 整理番号：02A0328530

薄膜成長および後アニーリングの間における,化学蒸着HfO₂薄膜とHF清浄化シリコン基板との間での界面反応

Interfacial reaction between chemically vapor-deposited HfO₂ thin films and a HF-cleaned Si substrate during flim growth and postannealing.

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巻： 80 号： 13 ページ： 2368-2370 発行年： 2002年04月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

N₂雰囲気中での標題界面反応について,...

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酸化物薄膜 , その他の無触媒反応

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薄膜成長および後アニーリングの間における,化学蒸着HfO2薄膜とHF清浄化シリコン基板との間での界面反応

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