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J-GLOBAL ID：200902192903593740   整理番号：93A0879119

シリコン結晶中の酸化物析出物のモルフォロジー

Morphology of Oxide Precipitates in Silicon Crystals.

著者 (1件)： AOKI S (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Materials Transactions, JIM(Japan Institute of Metals)  (Materials Transactions, JIM(Japan Institute of Metals))
巻： 34  号： 9  ページ： 746-752  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 0916-1821  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

引用文献 (25件)：

• 1) N. Inoue, J. Osaka and K. Wada: Oyo Buturi, 48 (1979), 1126.
• 2) T. Kawamura: J. Japanese Association of Crystal Growth, 7 (1980), 161.
• 3) N. Inoue and K. Wada: J. Japanese Association of Crystal Growth, 13 (1986), 166.
• 4) D. M. Maher, A. Staudinger and J. R. Patel: J. Appl. Phys., 47 (1976), 3813.
• 5) S. Aoki: J. Japan Inst. Metals, 54 (1990), 1297.

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン結晶 ,  酸化物 ,  析出物 ,  モルフォロジー