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J-GLOBAL ID：200902193171686266   整理番号：02A0669505

化学量論的酸化物ターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリングによって作製したPt/Ti/Si基板上のPb(Zr,Ti)O3薄膜の結晶化に及ぼす基板温度の影響

Effect of substrate temperature on the crystallization of Pb(Zr,Ti)O3 films on Pt/Ti/Si substrates prepared by radio frequency magnetron sputtering with a stoichiometric oxide target.
著者 (4件)：
THOMAS R

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(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Osaka, JPN)

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MOCHIZUKI S

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(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Osaka, JPN)

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MIHARA T

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(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Osaka, JPN)

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ISHIDA T

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(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Osaka, JPN)

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資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)

Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology について


巻： B95  号： 1  ページ： 36-42  発行年： 2002年07月01日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
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(111)Si基板上に標記薄膜を成長させた。基板温度と蒸着後...
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*PZT【鉛化合物】

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酸化物薄膜 
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薄膜

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