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J-GLOBAL ID：200902194003385770   整理番号：99A0562537

CuInSe₂薄膜のイオン注入による不純物導入効果

Effect of impurity in CuInSe₂ by ion implantation.

著者 (6件)： 田中徹 (豊橋技科大 工) ,  若原昭浩 (豊橋技科大 工) ,  大島武 (原研) ,  伊藤久義 (原研) ,  岡田そう平 (原研) ,  吉田明 (豊橋技科大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 99  号： 67(SDM99 1-13)  ページ： 77-82  発行年： 1999年05月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CuInSe₂系薄膜太陽電池は高効率・...

シソーラス用語： *不純物 ,...
準シソーラス用語： カルコパイライト構造

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  イオン注入 ,  不純物 ,  導入効果