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J-GLOBAL ID：200902194089285098   整理番号：97A0501343

2次元電子ガスのSchottky面内ゲート及びラップゲート制御に基づいた単一及び多重ドットがあるGaAs単一電子素子の作製と特性評価

Fabrication and Characterization of GaAs Single Electron Devices Having Single and Multiple Dots Based on Schottky In-Plane-Gate and Wrap-Gate Control of Two-Dimensional Electron Gas.

著者 (4件)： KASAI S (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  JINUSHI K (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMOZAWA H (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASEGAWA H (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 3B  ページ： 1678-1685  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近提案されたSchottky面内ゲート及び新しく導入したS...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (20件)：

• 1) H. van Houten, C. W. J. Beenakker and A. A. M. Staring: NATO Advanced Study Institute, Series B: Physics, eds. H. Garbert and M. H. Devoret (Plenum, New York, 1992) Vol. 294.
• 2) F. R. Waugh, M. J. Berry, D. J. Mar, R. M. Westervelt, K. L. Campman and A. C. Gossard: Phys. Rev. Lett. 75 (1995) 705
• 3) C. A. Stafford and S. D. Sarna: Phys. Rev. Lett. 72 (1994) 3590
• 4) G. Chen, G. Klimeck, S. Datta, G. Chen and W. A. Doddard III: Phys. Rev. B 50 (1994) 8035
• 5) G. Klimeck, G. Chen and S. Datta: Phys. Rev. B 50 (1994) 2316

タイトルに関連する用語 (10件)： 2次元電子ガス ,  ゲート ,  ラップ ,  ゲート制御 ,  多重 ,  ドット ,  GaAs ,  単一電子素子 ,  作製 ,  特性評価