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J-GLOBAL ID：200902194288762938   整理番号：97A0560280

ULSIメモリへの強誘電体材料の適用

Application of the ferroelectric materials to ULSI memories.

著者 (5件)： TARUI Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  HIRAI T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TERAMOTO K (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KOIKE H (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  NAGASHIMA K (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 113/114  ページ： 656-663  発行年： 1997年04月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 理想的な強誘電体メモリを開発するために,強誘電体材料を用いた...

シソーラス用語： 集積回路メモリ ,...
準シソーラス用語： 酸化ジルコニウムセリウム

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (2件)： ULSI ,  強誘電体材料