熱線堆積非晶質シリコン膜の水素化におけるポスト堆積処理の影響

FEENSTRA K F; ALKEMADE P F A; ALGRA E; SCHROPP R E I; VAN DER WEG W F

文献

J-GLOBAL ID：200902194306856309 整理番号：00A0049036

熱線堆積非晶質シリコン膜の水素化におけるポスト堆積処理の影響

Effect of Post-deposition Treatments on the Hydrogenation of Hot-wire Deposited Amorphous Silicon Films.

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資料名：
巻： 7 号： 5 ページ： 341-351 発行年： 1999年09月
JST資料番号： W0463A ISSN： 1062-7995 CODEN： PPHOED 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

熱線(HW)堆積した真性a-Si:H薄膜の構造における異なる...

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半導体薄膜 , 反応操作(単位反応)

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