0.1μmCMOS ULSI用の,その場PドープSiGeとBドープSiを使用したかさ上げソース/ドレイン技術

文献

J-GLOBAL ID：200902194334403611 整理番号：98A0861388

A Raised Source/Drain Technology Using In-situ P-doped SiGe and B-doped Si for 0.1-μm CMOS ULSIs.

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 1997 ページ： 479-482 発行年： 1997年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

かさ上げされたソース/ドレインとコンタクト窓がフィールド酸化...

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トランジスタ

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