文献

J-GLOBAL ID：200902194737321976   整理番号：97A0855500

りんをドープした{111}ホモエピタキシャル・ダイヤモンド薄膜の成長と評価

Growth and characterization of phosphorous doped {111} homoepitaxial diamond thin films.

著者 (5件)： KOIZUMI S (National Inst. Res. Inorganic Materials, Tsukuba, JPN) ,  KAMO M (National Inst. Res. Inorganic Materials, Tsukuba, JPN) ,  SATO Y (National Inst. Res. Inorganic Materials, Tsukuba, JPN) ,  OZAKI H (Aoyama Gakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  INUZUKA T (Aoyama Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 71  号： 8  ページ： 1065-1067  発行年： 1997年08月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーパント源にホスフィンを使い,マイクロ波促進プラズマ化学蒸...

シソーラス用語： リン ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0855500&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： りん ,  ドープ ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  ダイヤモンド薄膜 ,  成長 ,  評価