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J-GLOBAL ID：200902194999721835   整理番号：02A0673781

アニーリングによるSi(111)面上のGaN膜の作製と構造特性

Preparation and structural properties for GaN films grown on Si (111) by annealing.

著者 (7件)： YANG Y-G (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  MA H-L (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  XUE C-S (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  ZHUANG H-Z (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  HAO X-T (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  MA J (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  TENG S-Y (Shandong Univ., Jinan, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 193  号： 1/4  ページ： 254-260  発行年： 2002年06月05日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタGa₂O<sub>3</sub...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

タイトルに関連する用語 (5件)： アニーリング ,  Si ,  GaN ,  作製 ,  構造特性