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J-GLOBAL ID：200902195093162878   整理番号：99A0341416

サブ40nm PtSi Schottkyソース/ドレイン金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ

Sub-40nm PtSi Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

著者 (3件)： WANG C (EG&G Reticon, California) ,  SNYDER J P (Spinnaker Semiconductor, Minnesota) ,  TUCKER J R (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 74  号： 8  ページ： 1174-1176  発行年： 1999年02月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のMOSFETを,19Åゲート酸化物のサブ40nmチャネ...

シソーラス用語： 白金合金 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  ソース ,  ドレイン ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ