文献
J-GLOBAL ID：200902195115187489
整理番号：93A0519541
Silicon carbide and SiC-AlN solid-solution p-n structures grown by liquid-phase epitaxy.
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著者 (1件)：
資料名：
巻：
185
号：
1/4
ページ：
440-452
発行年：
1993年04月
JST資料番号：
H0676B
ISSN：
0921-4526
資料種別：
逐次刊行物 (A)
発行国：
オランダ (NLD)
言語：
英語 (EN)
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