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J-GLOBAL ID:200902195115187489   整理番号:93A0519541

Silicon carbide and SiC-AlN solid-solution p-n structures grown by liquid-phase epitaxy.

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巻: 185  号: 1/4  ページ: 440-452  発行年: 1993年04月 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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