変調ドープしたIn<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As量子井戸内電子の閉込め効果による面内有効質量の増大

HENDORFER G; SETO M; RUCKSER H; JANTSCH W; HELM M; BRUNTHALER G; JOST W; OBLOH H; AS D J

文献

J-GLOBAL ID：200902195203454608 整理番号：93A0773068

変調ドープしたIn_xGa_1-xAs量子井戸内電子の閉込め効果による面内有効質量の増大

Enhancement of the in-plane effective mass of electrons in modulation-doped In_xGa_1-xAs quantum wells due to confinement effects.

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Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

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巻： 48 号： 4 ページ： 2328-2334 発行年： 1993年07月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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