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J-GLOBAL ID：200902195371772720   整理番号：02A0359077

選択的に成長させた二ゲート単一電子トランジスタの作製および低温輸送特性

Fabrication and low-temperature transport properties of selectively grown dual-gated single-electron transistors.

著者 (7件)： MOTOHISA J (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  NAKAJIMA F (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUI T (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  VAN DER WIEL W G (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  ELZERMAN J M (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  DE FRANCESCHI S (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  KOUWENHOVEN L P (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 15  ページ： 2797-2799  発行年： 2002年04月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 選択領域有機金属気相エピタクシーによって形成したAlGaAs...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  ゲート ,  単一電子トランジスタ ,  作製 ,  低温 ,  輸送特性