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J-GLOBAL ID：200902195492287447   整理番号：99A0506919

AlGaN/AlN中間層を有するSi基板上のGaN薄膜

GaN on Si Substrate with AlGaN/AlN Intermediate Layer.

著者 (6件)： ISHIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ZHAO G-Y (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  NAKADA N (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  JIMBO T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  UMENO M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 5A  ページ： L492-L494  発行年： 1999年05月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 常圧の有機金属化学蒸着法により単結晶GaN薄膜がSi(111...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： メルトバック

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (15件)：

• AKIYAMA, M. Jpn.J.Appl.Phys. 1984, 23, 843
• SOGA, T. Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 1987, 91, 69
• NOTO, N. Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 1989, 148, 248
• EGAWA, T. Appl.Phys.Lett. 1990, 57, 1179
• WATANABE, A. J.Cryst.Growth. 1993, 128, 391

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  AlN ,  中間層 ,  Si基板 ,  GaN ,  薄膜