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J-GLOBAL ID：200902195542226177   整理番号：93A0229179

nとpチャネルシリコンMOSFETに対する経験的局部移動度モデルのユニバーサル実効移動度

“Universal” effective mobility of empirical local mobility models for n- and p-channel silicon MOSFETs.

著者 (1件)： WONG H-S (IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 36  号： 2  ページ： 179-188  発行年： 1993年02月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドリフト-拡散素子シミュレータに使った実効電界(非局所電界移...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： チャネル ,  シリコン ,  MOSFET ,  経験 ,  移動度 ,  モデル