文献
J-GLOBAL ID:200902195577137126   整理番号:96A0443759

非対称トンネル障壁を持つ単一電子デバイス

Single Electron Device with Asymmetric Tunnel Barriers.
著者 (4件):
資料名:
巻: 35  号: 2B  ページ: 1126-1131  発行年: 1996年02月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
非対称トンネル障壁を持つ単一電子デバイス(ATB)を提案する...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0443759&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
界面の電気的性質一般 
引用文献 (8件):
  • AVERIN, D. V. J.Low Temp.Phys. 1985, 62, 345
  • Single Charge Tnneling. 1992
  • YANO, K. Ext.Abst.1994 Int.Conf.Solid State Devices and Materials. 1994, 325
  • LUTWYCHE, M. I. J.Appl.Phys. 1994, 75, 3654
  • AMEMIYA, Y. Oyo Buturi. 1995, 64, 765
もっと見る
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る