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J-GLOBAL ID：200902195584774298   整理番号：02A0099683

二光子吸収によって励起されたCdS薄膜の真性バンドギャップ発光とその配置依存性

Intrinsic gap emission and its geometry dependence of thin-film CdS excited by two-photon sbsorption.

著者 (3件)： ULLRICH B (Bowling Green State Univ., OH, USA) ,  SCHROEDER R (Bowling Green State Univ., OH, USA) ,  SAKAI H (Hiroshima Kokusai Gakuin Univ., Hiroshima, JPN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 16  号： 12  ページ： L89-L92  発行年： 2001年12月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板上に成長させたCdS薄膜からの室温における発光を,...

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,...
準シソーラス用語： *禁止帯

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 二光子吸収 ,  励起 ,  CdS ,  薄膜 ,  バンドギャップ ,  依存性