CdS結晶を使った金属-半導体接触の特性に及ぼす可動欠陥の効果

DROZDOVA I A; EMBERGENOV B; KORSUNSKAYA N E; MARKEVICH I V

文献

J-GLOBAL ID：200902195642636259 整理番号：93A0769261

CdS結晶を使った金属-半導体接触の特性に及ぼす可動欠陥の効果

Influence of mobile defects on the characteristics of a metal-semiconductor contact in the case of CdS crystals.

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資料名：
巻： 27 号： 4 ページ： 372-373 発行年： 1993年04月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

可動欠陥を含むCdSを使った電気接触で,特性の時間変化を観測...

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半導体-金属接触

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