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J-GLOBAL ID：200902195762845781   整理番号：93A0546965

Enhanced non-radiative recombination in hydrogenated amorphous silicon at low carrier densities and low temperatures.

著者 (2件)： VOLLMAR H-P (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  BINDEMANN R (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU)
資料名： Philosophical Magazine Letters  (Philosophical Magazine Letters)
巻： 67  号： 4  ページ： 231-237  発行年： 1993年04月 
JST資料番号： T0360A  ISSN： 0950-0839  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)