文献

J-GLOBAL ID：200902195932567447   整理番号：97A0872860

6H-SiC上成長へき開端面InGaN/GaN SCHレーザにおけるパルスレーザ発光動作

Pulsed operation lasing in a cleaved-facet InGaN/GaN MQW SCH laser grown on 6H-SiC.

著者 (9件)： BULMAN G E (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  DOVERSPIKE K (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  SHEPPARD S T (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  WEEKS T W (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  KONG H S (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  EDMOND J A (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  BROWN J D (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  SWINDELL J T (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  SCHETZINA J F (North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 33  号： 18  ページ： 1556-1557  発行年： 1997年08月28日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光メモリ装置では青色光レーザ光源が望ましく,いくつかの報告例...

シソーラス用語： *半導体レーザ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0872860&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 6H-SiC ,  成長 ,  へき開 ,  InGaN ,  GaN ,  レーザ ,  パルス ,  レーザ発光