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J-GLOBAL ID：200902196016683101   整理番号：01A0523874

GaN MIS構造のための高品質オキサイド/ナイトライド/オキサイド・ゲート絶縁膜

High-Quality Oxide/Nitride/Oxide Gate Insulator for GaN MIS Structures.

著者 (4件)： GAFFEY B (Yale Univ., CT, USA) ,  GUIDO L J (Yale Univ., CT, USA) ,  WANG X W (Yale Univ., CT, USA) ,  MA T P (Yale Univ., CT, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48  号： 3  ページ： 458-464  発行年： 2001年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,MESFET,HEMTなどGaNベースFETの開発が急...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： ジェット気相成長 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  MIS構造 ,  高品質 ,  オキサイド ,  ナイトライド ,  ゲート絶縁膜