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J-GLOBAL ID：200902196144785774   整理番号：93A0560331

炭素をドープしたベース層とベース・コレクタ接合に傾斜超格子層とを使用したInP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ

In/P/InGaAs double heterojunction bipolar transistors incorporating carbon-doped bases and superlattice graded base-collector junctions.

著者 (8件)： GEE R C (Univ. California, San Diego, CA, USA) ,  ASBECK P M (Univ. California, San Diego, CA, USA) ,  LIN C L (IBM Research Division, NY, USA) ,  KIRCHNER P D (IBM Research Division, NY, USA) ,  WOODALL J M (IBM Research Division, NY, USA) ,  FARLEY C W (Rockwell International Science Center, CA, USA) ,  SEABURY C W (Rockwell International Science Center, CA, USA) ,  HIGGINS J A (Rockwell International Science Center, CA, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 29  号： 10  ページ： 850-851  発行年： 1993年05月13日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エミッタ用InP層の成長の前にInGaAs層中のカーボンを活...

シソーラス用語： HBT【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： ガスソースMBE

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 炭素 ,  ドープ ,  ベース層 ,  コレクタ ,  超格子 ,  InP ,  InGaAs ,  ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ