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J-GLOBAL ID:200902196170002591   整理番号:96A0418016

H2Sガス中の反応性スパッタリングにより作製した前駆体の硫化によるCuInS2薄膜をもとにした太陽電池

Solar Cells Based on CuInS2 Thin Films through Sulfurization of Precursors Prepared by Reactive Sputtering with H2S Gas.
著者 (2件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 1681-1684  発行年: 1996年03月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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Cu-In-S前駆体をH2S/Ar中で...
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  太陽電池 
引用文献 (9件):
  • KAZMERSKI, L. L. J.Appl.Phys. 1977, 48, 3178
  • SCHEER, R. Appl.Phys.Lett. 1993, 63, 3294
  • WALTER, T. 12th European Photovoltaic Solar Energy Conf. 1994, 684
  • HWANG, H. L. Thin Solid Films. 1980, 67, 83
  • ONAGAWA, H. Jpn.J.Appl.Phys. 1984, 23, 965
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