分子ビームエピタキシャル(MBE)とマイグレーション励起エピタキシャル(MEE)による低温GaAs成長の電気特性

文献

J-GLOBAL ID：200902196258195721 整理番号：94A0083941

Electrical Properties of Low-Temperature GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy and Migration Enhanced Epitaxy.

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巻： 22 号： 12 ページ： 1433-1436 発行年： 1993年12月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MBEとMEE低温成長LT-GaAsの測定で成長中の過剰ひ素...

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半導体薄膜 , 半導体結晶の電気伝導

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