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J-GLOBAL ID：200902196392056762   整理番号：96A0482701

電子材料の接合における界面問題 表面活性化による低エネルギー接合

Low Temperature Bonding by Means of the Surface Activated Bonding Method.

著者 (1件)： 須賀唯知 (東大 先端科学技研セ)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 35  号： 5  ページ： 496-500  発行年： 1996年05月 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 表面活性化常温接合の現状を課題について解説した。加熱すること...

シソーラス用語： 活性化 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  溶接技術  (WC07030G)

引用文献 (23件)：

• MIYOSHI, K. Wear. 1982, 77, 23
• OHUCHI, F. S. J. Am. Ceram. Soc. 1991, 74, 6, 1163
• 須賀唯知. 日本金属学会会報. 1990, 29, 944
• 須賀唯知. 溶接学会誌. 1992, 61, 2, 28
• 須賀唯知. 溶接学会誌. 1995, 64, 4, 72

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子材料 ,  界面 ,  表面活性化 ,  低エネルギー