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J-GLOBAL ID：200902196597559562   整理番号：00A0157159

バイアススパッタリングによって蒸着したCu薄膜の残留応力と電気抵抗率に及ぼす膜密度の影響

Influence of film density on residual stress and resistivity for Cu thin films deposited by bias sputtering.

著者 (4件)： CHOI H M (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Dae-Jon, KOR) ,  CHOI S K (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Dae-Jon, KOR) ,  ANDERSON O (Schott Glas, Res. and Technol.-Dev., Mainz, DEU) ,  BANGE K (Schott Glas, Res. and Technol.-Dev., Mainz, DEU)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 358  号： 1/2  ページ： 202-205  発行年： 2000年01月10日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記影響を調べるために,すれすれ入射X線反射率によって膜密度...

シソーラス用語： *銅 ,...

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分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： バイアス ,  スパッタリング ,  蒸着 ,  Cu ,  薄膜 ,  残留応力 ,  電気抵抗率 ,  密度