Laser-assisted low temperature deposition of WSix from WF6 and SiH4.

文献

J-GLOBAL ID：200902196787450923 整理番号：93A0781496

Laser-assisted low temperature deposition of WSi_x from WF₆ and SiH₄.

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IZQUIERDO R

IZQUIERDO R について

(Ecole Polytechnique de Montre ́al, Que ́bec, CAN)

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DESJARDINS P

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(Ecole Polytechnique de Montre ́al, Que ́bec, CAN)

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ELYAAGOUBI N

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(Ecole Polytechnique de Montre ́al, Que ́bec, CAN)

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MEUNIER M

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(Ecole Polytechnique de Montre ́al, Que ́bec, CAN)

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資料名：

Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3 (Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3)

Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3 について

ページ： 209-214 発行年： 1993年
JST資料番号： K19930443 ISBN： 1-55899-177-8 資料種別：会議録 (C)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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