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J-GLOBAL ID：200902196874037897   整理番号：02A0085770

CH₄/H₂系RIEによるZnSe系化合物半導体の量子構造作製と光学的物性評価

Optical Evaluation of ZnSe-based Quantum Structures Fabricated by CH₄/H₂ Reactive Ion Etching.

著者 (3件)： 福士人文 (東北大 金材研) ,  牧野久雄 (東北大 金材研) ,  八百隆文 (東北大 金材研)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 22  号： 12  ページ： 811-817  発行年： 2001年12月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： メタン/水素RIE(反応性イオンエッチング)によって引起され...

シソーラス用語： *亜鉛化合物 ,...

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： メタン

引用文献 (13件)：

• 1) L.M. Sparing, P.D. Wang, S.H. Xin, S.W. Short, S.S. Shi, J.K. Furdyna, J.L. Merz and G.L. Snider: J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3654 (1996).
• 2) L.M. Sparing, P.D. Wang, A.M. Mintairov, S. Lee, U. Bindley, C.H. Chen, S.S. Shi, J.K. Furdyna, J.L. Merz and G. L. Snider: J. Vac. Sci. Technol. B 15, 2652 (1997).
• 3) H. Straub, G. Brunthaler, W. Faschinger, G. Bauer and C. Vieu: J. Cryst. Growth 159, 451 (1996).
• 4) K. Herz, G. Bacher, A. Forchel, H. Staub, G. Brunthaler, W. Faschinger and G. Bauer: Phys. Rev. B 59, 2888 (1999).
• 5) M.A. Foad, A.P. Smart, M. Watt, C.M. Sotomayor Torres, W. Kuhn, H.P. Wagner, H. Leiderer, S. Bauer, C.D.W. Wilkinson, W. Gebhardt and M. Razeghi: Surf. Sci. 267, 223 (1992).

タイトルに関連する用語 (8件)： H2 ,  RIE ,  ZnSe ,  化合物半導体 ,  量子構造 ,  作製 ,  光学 ,  物性評価