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J-GLOBAL ID：200902196984801169   整理番号：00A0779664

中性子を照射した炭化けい素において生成じた欠陥の生成効率の照射温度依存性

Irradiation temperature dependence of production efficiency of defects induced in neutron-irradiated silicon carbides.

著者 (6件)： OKADA M (Kyoto Univ., Osaka, JPN) ,  ATOBE K (Naruto Univ. Education, Tokushima, JPN) ,  NAKAGAWA M (Kagawa Univ., Kagawa, JPN) ,  KANAZAWA S (Kyoto Univ., Osaka, JPN) ,  KANNO I (Kyoto Univ., Osaka, JPN) ,  KIMURA I (Kyoto Univ., Osaka, JPN)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 166/167  ページ： 399-403  発行年： 2000年05月 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題の依存性を,温度20~370Kで調べた。照射試料において...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中性子 ,  炭化けい素 ,  欠陥 ,  温度依存性