準メタリックモードRF反応性スパッタリングにより作製した低温(450°C)Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub>膜の電気特性

文献

J-GLOBAL ID：200902197144580354 整理番号：96A1011856

準メタリックモードRF反応性スパッタリングにより作製した低温(450°C)Pb(Zr,Ti)O₃膜の電気特性

Electrical Properties of Low-Temperature (450°C) Pb(Zr,Ti)O₃ Films Prepared in Quasi-Metallic Mode by RF Reactive Sputterillg.

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資料名：
巻： 35 号： 9B ページ： 5084-5088 発行年： 1996年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

ZrTi合金(Zr/Ti=50/50)ターゲットとPbOペレ...

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強誘電体,反強誘電体,強弾性 , 酸化物薄膜

引用文献 (16件)：

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