文献

J-GLOBAL ID：200902197271436823   整理番号：96A0286510

低圧化学蒸着によるSi量子ドット形成

Si Quantum Dot Formation with Low-Pressure Chemical Vapor Deposition.

著者 (5件)： NAKAJIMA A (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SUGITA Y (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KAWAMURA K (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  TOMITA H (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  YOKOYAMA N (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 35  号： 2B  ページ： L189-L191  発行年： 1996年02月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 孤立したSi量子ドットから成る層を作製する簡単な手法を提案し...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0286510&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (15件)：

• ONO, M. IEDM Tech. Dig. 1993, 119-122
• MORIMOTO, K. Ext. Abstr.1993 Int. Conf. Solid State Devices & Materials. 1993, 344-346
• YANO, K. IEDM Tech. Dig. 1993, 541-544
• MUTO, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, L210
• ABRAHAMS, M. S. J. Appl. Phys. 1976, 47, 5139

タイトルに関連する用語 (3件)： 低圧化学蒸着 ,  Si ,  量子ドット