文献

J-GLOBAL ID：200902197524091690   整理番号：99A0040362

界面活性剤としてInを用いた分子ビームエピタクシーで成長させた改良した品質のGaN

Improved quality GaN grown by molecular beam epitaxy using In as a surfactant.

著者 (5件)： WIDMANN F (CEA/Grenoble, Grenoble, FRA) ,  DAUDIN B (CEA/Grenoble, Grenoble, FRA) ,  FEUILLET G (CEA/Grenoble, Grenoble, FRA) ,  PELEKANOS N (CEA/Grenoble, Grenoble, FRA) ,  ROUVIERE J L (CEA/Grenoble, Grenoble, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 73  号： 18  ページ： 2642-2644  発行年： 1998年11月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBEによるGaN成長におけるInの界面活性効果を調べた。そ...

シソーラス用語： *MBE成長 ,...
準シソーラス用語： 平均自由行路 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0040362&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面活性剤 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  GaN