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J-GLOBAL ID：200902197718960797   整理番号：02A0229889

InAlGaN四元混晶を用いた300nm帯紫外高輝度LEDの開発

Development of 300 nm band high-intensity ultraviolet (UV) LEDs using quaternary InAlGaN.

著者 (3件)： 平山秀樹 (理研) ,  木下敦寛 (理研) ,  青柳克信 (理研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 71  号： 2  ページ： 204-208  発行年： 2002年02月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,300nm帯の高輝度紫外発光素子を実現するためのI...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...

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分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (8件)：

• 天野浩. 応用物理. 1999, 68, 768
• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, L1059
• HIRAYAMA, H. Mater. Res. Soc. Proc. 2000, 639, G28
• HIRAYAMA, H. Phys. Status Solidi. 2000, a180, 157
• NARUKAWA, Y. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 891

タイトルに関連する用語 (4件)： 混晶 ,  高輝度 ,  LED ,  開発