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J-GLOBAL ID：200902197939159169   整理番号：94A0040378

(In,Mn)As/(Ga,Al)Sb磁性半導体ヘテロ構造の作製及びその強磁性特性

Preparation of (In,Mn)As/(Ga,Al) Sb magnetic semiconductor heterostructures and their ferromagnetic characteristics.

著者 (4件)： MUNEKATA H (IBM Research Division, New York) ,  ZASLAVSKY A (IBM Research Division, New York) ,  FUMAGALLI P (IBM Research Division, New York) ,  GAMBINO R J (IBM Research Division, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 63  号： 21  ページ： 2929-2931  発行年： 1993年11月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V属元素による磁性半導体ヘテロ構造,p型(In,Mn...

シソーラス用語： インジウム化合物 ,...
準シソーラス用語： ひ化インジウムマンガン ,...

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分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  磁気異方性・磁気機械効果一般  (BM06101B) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (8件)： Mn ,  Ga ,  Al ,  Sb ,  磁性半導体 ,  ヘテロ構造 ,  作製 ,  強磁性