熱酸化多孔質けい素中の異方性のある偏光メモリ

KOYAMA H; FAUCHET P M

文献

J-GLOBAL ID：200902197971637315 整理番号：01A0049948

熱酸化多孔質けい素中の異方性のある偏光メモリ

Anisotropic polarization memory in thermally oxidized porous silicon.

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巻： 77 号： 15 ページ： 2316-2318 発行年： 2000年10月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

熱酸化多孔質けい素(PSi)からの可視光ルミネセンス(PL)...

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半導体のルミネセンス

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