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J-GLOBAL ID:200902197971637315   整理番号:01A0049948

熱酸化多孔質けい素中の異方性のある偏光メモリ

Anisotropic polarization memory in thermally oxidized porous silicon.
著者 (2件):
資料名:
巻: 77  号: 15  ページ: 2316-2318  発行年: 2000年10月09日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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熱酸化多孔質けい素(PSi)からの可視光ルミネセンス(PL)...
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分類 (1件):
分類
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半導体のルミネセンス 
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