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J-GLOBAL ID：200902198320666569   整理番号：99A0055104

表面処理を用いたp型GaNへの低抵抗Pd/AuのOhm接触

Low resistance Pd/Au ohmic contacts to p-type GaN using surface treatment.

著者 (6件)： KIM J K (Pohang Univ. Sci. and Technol.(POSTECH), Pohang, KOR) ,  LEE J-L (Pohang Univ. Sci. and Technol.(POSTECH), Pohang, KOR) ,  LEE J W (Samsung Advanced Inst. Technol.(SAIT), Suwon, KOR) ,  SHIN H E (Samsung Advanced Inst. Technol.(SAIT), Suwon, KOR) ,  PARK Y J (Samsung Advanced Inst. Technol.(SAIT), Suwon, KOR) ,  KIM T (Samsung Advanced Inst. Technol.(SAIT), Suwon, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 73  号： 20  ページ： 2953-2955  発行年： 1998年11月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pd/Au金属の真空蒸着前に表面処理することにより,最も低い...

シソーラス用語： 表面処理 ,...
準シソーラス用語： 王水

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分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 表面処理 ,  GaN ,  低抵抗 ,  Pd ,  Au ,  Ohm接触