太陽電池応用のための窒化けい素膜の高密度プラズマ化学蒸着による調製

文献

J-GLOBAL ID：200902198512466016 整理番号：02A0327611

Silicon nitride films prepared by high-density plasma chemical vapor deposition for solar cell applications.

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巻： 153 号： 1 ページ： 67-71 発行年： 2002年04月01日
JST資料番号： D0205C ISSN： 0257-8972 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

平面コイル中の誘導結合高密度プラズマ化学蒸着により窒化けい素...

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その他の無機化合物の薄膜 , 太陽電池

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